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Nascimento A, Lamb J D, Raeker E B, et al. GND density in an additively manufactured CoNi superalloy: A 3D EBSD perspective[J]. Acta Materialia, 2026, 316: 122410.
Nascimento, Anderson, et al. "GND density in an additively manufactured CoNi superalloy: A 3D EBSD perspective." Acta Materialia 316 (2026): 122410. (): .
Nascimento, A., Lamb, J. D., Raeker, E. B., Mullin, K. M., Pollock, T. M., & Beyerlein, I. J. (2026). GND density in an additively manufactured CoNi superalloy: A 3D EBSD perspective. Acta Materialia, 316, 122410., .
背景简介
CoNi基高温合金因兼具优异的高温强度、抗氧化性能和结构稳定性,被认为是下一代航空发动机热端部件的重要候选材料。然而,增材制造CoNi合金经历快速凝固和重复热循环后,其内部会形成复杂的柱状晶组织、晶内取向梯度以及高密度位错结构。其中,几何必要位错(Geometrically Necessary Dislocations, GND)作为协调晶粒间变形不匹配和维持晶格曲率的重要缺陷类型,与材料加工硬化、局部应力集中以及服役可靠性密切相关。目前,对于增材制造过程中GND的形成机制仍缺乏深入认识,尤其难以区分凝固过程产生的初始晶格曲率与后续固态热循环(Solid State Thermal Cycling, SSTC)诱导位错演化之间的贡献。传统电子背散射衍射(Electron Backscatter Diffraction, EBSD)通常基于二维取向梯度计算GND密度,但由于忽略样品厚度方向的晶格旋转,其结果可能低估真实三维位错结构。近年来,TriBeam三维EBSD技术的发展使获得真实三维晶体取向场成为可能,为研究增材制造材料内部缺陷演化提供了新的试验手段。
该研究以激光粉末床熔融(Laser Powder Bed Fusion, LPBF)制备的CoNi基高温合金为研究对象,将TriBeam三维EBSD表征与热-力耦合晶 体塑性有限元(Crystal Plasticity Finite Element, CPFE)模拟相结合,建立包含温度相关弹性常数、热膨胀系数以及热导率的多物理场模拟框架,研究增材制造过程中GND形成机制、二维与三维GND计算差异,以及固态热循环对残余应力和位错演化的影响。
成果介绍
(1)该研究首先利用LPBF制备CoNi基高温合金,并通过TriBeam三维EBSD技术获得真实三维晶体取向数据,为后续晶体塑性模拟提供试验基础。试验采用GammaPrint™-700 CoNi基合金粉末,通过SLM Solutions SLM125设备进行打印,激光功率176 W,扫描速度1137 mm/s,层厚30 μm以及扫描间距80 μm,并采用层间旋转90°的双向扫描策略。打印后的材料表现出典型增材制造组织特征,包括沿成形方向发展的柱状晶以及由扫描路径诱导形成的织构结构。研究采用TriBeam技术获得0.39 mm3三维EBSD数据集,空间分辨率达到1.5 μm体素尺寸。随后选取150 μm × 150 μm × 150 μm区域建立CPFE模型,并进一步划分为75 μm × 75 μm × 75 μm的代表体积单元(Representative Volume Element, RVE),实现试验三维组织与模拟网格的一一对应。为了准确描述增材制造过程中的热机械响应,作者在CPFE模型中引入温度相关材料参数,包括单晶弹性常数,热膨胀系数,热导率以及温度相关滑移阻力。模型基于FCC晶体滑移理论,通过幂律滑移模型描述塑性变形,同时利用Kocks-Mecking位错演化模型描述SSD累积和回复过程。图1展示了三维和二维估算GND密度的差别示意图。三维计算时,基于三维EBSD试验结果,可以考虑计算点三维空间附近点的晶格旋转梯度,如图1中蓝色点数据。而在传统面EBSD分析结果中,由于难以获取三维空间点数据,仅能考虑单个面内二维的数据进行计算,同样对应图1中的蓝色点数据,红色点数据无法作为分析数据对象,因此通常二维计算GND值小于三维计算值。
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图1 三维和二维估算GND密度的差别示意图,蓝色数据点为计算白色点位置的可用数据点,红色为二维分析时的面外无法利用数据点
计算对比结果如图2所示,二维和三维GND计算结果存在明显差异。以三维Kernel计算结果为参考,二维方法所得GND密度的平均相对误差约为25%。相对误差的第90百分位数接近66%,意味着约90%区域的误差不超过66%,而在误差最高的约10%区域,二维结果与三维结果之间的偏差可达到或超过66%。这表明,在厚度方向存在显著晶格曲率的区域,仅依赖二维EBSD可能无法充分反映材料内部的真实GND密度。进一步空间分析发现,高误差区域主要集中于部分晶粒内部,并且通常跨越整个晶粒厚度方向。这些区域对应明显的面外取向梯度,而二维EBSD无法捕获该部分晶格旋转,因此导致GND计算偏低。
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图2 基于核的二维与三维GND密度估算比较,计算相对误差定义为|ρ3D−ρ2D|/ρ3D:(a)微观结构的三维渲染,显示了用二维和三维核计算的总GND密度之间相对误差的空间分布,并提取平面可视化的切片;(b)在整个体积中按体素排列的相对误差直方图;(c)三个高亮切片的平面相对误差图
(2)该研究进一步分析了三维EBSD测量得到的GND密度与微观组织特征之间的关系。图3结果表明,GND密度与晶粒尺寸之间存在明显反相关关系:小尺寸晶粒具有更高平均GND密度,而最大尺寸晶粒GND密度明显降低。统计结果显示,尺寸排列处于末尾25%晶粒的平均GND密度约为9.39×1013 m−2;而尺寸排列处于前25%晶粒仅约3.82×1013 m−2,两者相差约2.5倍。研究认为,小晶粒内部空间限制更强,晶界约束导致晶格曲率增加,因此更容易形成较高密度GND。相比之下,晶体学取向对GND分布影响较小。不同晶体取向晶粒之间未观察到明显GND变化规律,说明增材制造CoNi合金中的位错累积主要由晶粒尺度和局部变形协调控制,而非单纯由晶体取向决定。
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图3 三维GND密度与晶粒尺寸和晶粒取向之间的关系统计:(a)晶粒平均GND密度与晶粒体积的关系;圆形图例大小反映晶粒体积;(b)晶粒平均GND密度与晶粒取向的关系反极图
(3)为揭示打印过程中后续热循环对GND形成的贡献,研究建立了热-力耦合CPFE模型,对一次典型固态热循环过程进行模拟,分析结果如图4所示。模拟热循环过程中:温度由室温升高至约800 K;温升速率达到5.5×105 K/s,并在达到峰值温度后快速冷却。模拟结果显示,热循环导致明显温度梯度和残余应力梯度形成。冷却结束后,下部区域残余von Mises应力约300 MPa,而上部区域残余应力超过1600 MPa。同时,残余塑性应变在空间上高度不均匀,局部区域可达到约3%。研究指出,增材制造过程中不同区域经历不同热历史,使材料产生非均匀热膨胀和塑性响应,从而形成残余应力集中区域,这些区域可能成为未来裂纹和孔洞萌生位置。
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图4 热-力耦合CPFE分析打印过程中后续热循环对GND形成的贡献:(a)热循环峰值的温度分布,显示沿构建方向的陡峭梯度;(b)冷却后残余的Von Mises应力场,表现出与热历史一致的明显垂直变化;(c)冷却后残余Von Mises应变场,显示小尺寸晶粒中存在应变集中现象
(4)该研究进一步设计两种CPFE模型进行对比,结果如图5所示:一种为保留增材制造后真实晶粒内部取向梯度;另一种为去除晶粒内部取向梯度,使晶粒保持均匀取向之后再进行热循环模拟。通过比较两种模型,可以区分凝固过程和固态热循环对GND形成的贡献。结果发现:保留真实取向梯度模型能够产生与试验接近的GND分布;去除取向梯度后,GND密度明显降低;固态热循环仍能诱导额外GND产生,但其贡献小于打印凝固阶段形成的初始晶格曲率。研究认为,大量试验观察到的GND主要来源于凝固收缩过程中产生的晶粒内部取向梯度,而后续热循环主要作用是进一步诱导局部塑性变形、残余SSD累积以及额外GND增长。综合三维EBSD试验和CPFE模拟结果,该研究提出增材制造CoNi合金中的GND形成机制:首先,在快速凝固阶段,由于不同区域冷却速率不同,产生非均匀收缩和晶格旋转,形成初始GND结构;随后,在层间重复热循环过程中,热膨胀失配和机械约束诱导局部塑性变形,使已有晶格曲率进一步发展,并产生新的GND;最终形成由凝固历史和热循环共同控制的空间非均匀位错结构。因此,增材材料中的GND并非完全由热循环产生,而是继承了打印过程形成的复杂三维晶体取向历史。
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图5 通过两种不同估计方法对SSTC后获得的总GND密度分布进行空间比较:(a)引入取向梯度再进行计算的GND三维密度场;(b)单纯基于塑性变形梯度计算得到的GND三维密度场;(c)基于(a)切片的GND二维密度场;(d)基于(b)切片的GND二维密度场
致谢
作者感谢美国海军研究办公室(ONR)项目N00014-26-1-2021以及美国能源部国家核安全管理局项目DE-NA0004152提供资金支持,同时感谢美国国家科学基金会(NSF)计算资源支持。本文第一作者和通讯作者:Anderson Nascimento(University of California, Santa Barbara)。
本期小编:董乃健 (整理)
罗凌颖 (校对)
刘昊东 (审核)
董乃健 (发布)
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